設(shè)計工程師充分了解在應(yīng)付由chargedboardevent(CBE)所造成的較嚴(yán)重損壞時,提供符合IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)的靜電放電(ESD)保護功能可能并不足夠。這些極強的浪涌事件具有高峰值電流和快速上升時間特性,可能損壞智能手機、平板電腦、汽車信息娛樂設(shè)備和其它敏感的電子產(chǎn)品的I/O端口。認識到這一事實,TEConnectivity旗下的電路保護業(yè)務(wù)部門推出了全新的硅ESD(SESD)系列器件,這些器件的空氣放電額定值為±20kV和±22kV,遠遠高于IEC8kV接觸放電和15kV空氣放電標(biāo)準(zhǔn)要求,可以幫助設(shè)計人員解決由CBE事件引起的普遍電路保護難題。
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TE電路保護部產(chǎn)品經(jīng)理NicolePalma表示:“在與設(shè)計工程師一起工作時,我們發(fā)現(xiàn)IEC的ESD保護標(biāo)準(zhǔn)沒有真正解決可能導(dǎo)致產(chǎn)品故障的CBE問題。針對這一挑戰(zhàn),我們提升了現(xiàn)有的小型低電容SESD器件產(chǎn)品線,提供20kV及更高的浪涌保護能力。這種更強大的保護能力可以幫助制造商提高產(chǎn)品可靠性,最大限度地減少現(xiàn)場返修(fieldreturn),而這正是競爭異常激烈的計算機、移動、消費和汽車市場的關(guān)鍵設(shè)計考慮。”
此新一代SESD產(chǎn)品同時具有單向和雙向配置,以及1、2和4通道器件,采用微小型0201和0402尺寸及標(biāo)準(zhǔn)直通(flow-through)封裝。除了提供20kV接觸放電性能,這些器件的浪涌保護能力(4通道陣列為2.2A,1和2通道器件為2.5A)有助于提供更穩(wěn)健的性能。
SESD器件的典型輸入電容在高頻譜下為0.15pF(雙向)和0.30pF(單向),能幫助滿足HDMI、eSATA和其它高速信號要求。它們的低鉗位電壓(<15V)有助于達到快速啟動時間和最大限度地減少能量通泄(energylet-through)。此外,SESD器件具有極低的泄漏電流(50nA),幫助在必須節(jié)約能源的應(yīng)用中降低功耗。
型號:
單通道:
·SESD0201X1UN-0030-088–單向;0201尺寸;0.30pF(典型)輸入Cp;8.8V(典型)VBR
·SESD0201X1BN-0015-096–雙向;0201尺寸;0.15pF(典型)輸入Cp,9.6V(典型)VBR
·SESD0402X1UN-0030-088–單向;0402尺寸;0.30pF(典型)輸入Cp,8.8V(典型)VBR
·SESD0402X1BN-0015-096–雙向;0402尺寸;0.15pF(典型)輸入Cp,9.6V(典型)VBR
多通道:
·SESD0402Q2UG-0030-088–單向;0402尺寸;0.30pF(典型)輸入Cp,8.8V(典型)VBR
·SESD1004Q4UG-0030-088–單向;1004尺寸;0.30pF(典型)輸入Cp,8.8V(典型)VBR
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