設(shè)計(jì)工程師充分了解在應(yīng)付由chargedboardevent(CBE)所造成的較嚴(yán)重?fù)p壞時(shí)，提供符合IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)的靜電放電(ESD)保護(hù)功能可能并不足夠。這些極強(qiáng)的浪涌事件具有高峰值電流和快速上升時(shí)間特性，可能損壞智能手機(jī)、平板電腦、汽車(chē)信息娛樂(lè)設(shè)備和其它敏感的電子產(chǎn)品的I/O端口。認(rèn)識(shí)到這一事實(shí)，TEConnectivity旗下的電路保護(hù)業(yè)務(wù)部門(mén)推出了全新的硅ESD(SESD)系列器件，這些器件的空氣放電額定值為±20kV和±22kV，遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于IEC8kV接觸放電和15kV空氣放電標(biāo)準(zhǔn)要求，可以幫助設(shè)計(jì)人員解決由CBE事件引起的普遍電路保護(hù)難題。
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TE電路保護(hù)部產(chǎn)品經(jīng)理NicolePalma表示：“在與設(shè)計(jì)工程師一起工作時(shí)，我們發(fā)現(xiàn)IEC的ESD保護(hù)標(biāo)準(zhǔn)沒(méi)有真正解決可能導(dǎo)致產(chǎn)品故障的CBE問(wèn)題。針對(duì)這一挑戰(zhàn)，我們提升了現(xiàn)有的小型低電容SESD器件產(chǎn)品線，提供20kV及更高的浪涌保護(hù)能力。這種更強(qiáng)大的保護(hù)能力可以幫助制造商提高產(chǎn)品可靠性，最大限度地減少現(xiàn)場(chǎng)返修(fieldreturn)，而這正是競(jìng)爭(zhēng)異常激烈的計(jì)算機(jī)、移動(dòng)、消費(fèi)和汽車(chē)市場(chǎng)的關(guān)鍵設(shè)計(jì)考慮。”
此新一代SESD產(chǎn)品同時(shí)具有單向和雙向配置，以及1、2和4通道器件，采用微小型0201和0402尺寸及標(biāo)準(zhǔn)直通(flow-through)封裝。除了提供20kV接觸放電性能，這些器件的浪涌保護(hù)能力(4通道陣列為2.2A，1和2通道器件為2.5A)有助于提供更穩(wěn)健的性能。
SESD器件的典型輸入電容在高頻譜下為0.15pF(雙向)和0.30pF(單向)，能幫助滿足HDMI、eSATA和其它高速信號(hào)要求。它們的低鉗位電壓(<15V)有助于達(dá)到快速啟動(dòng)時(shí)間和最大限度地減少能量通泄(energylet-through)。此外，SESD器件具有極低的泄漏電流(50nA)，幫助在必須節(jié)約能源的應(yīng)用中降低功耗。
型號(hào)：
單通道：
·SESD0201X1UN-0030-088–單向;0201尺寸;0.30pF(典型)輸入Cp;8.8V(典型)VBR
·SESD0201X1BN-0015-096–雙向;0201尺寸;0.15pF(典型)輸入Cp,9.6V(典型)VBR
·SESD0402X1UN-0030-088–單向;0402尺寸;0.30pF(典型)輸入Cp,8.8V(典型)VBR
·SESD0402X1BN-0015-096–雙向;0402尺寸;0.15pF(典型)輸入Cp,9.6V(典型)VBR
多通道：
·SESD0402Q2UG-0030-088–單向;0402尺寸;0.30pF(典型)輸入Cp,8.8V(典型)VBR
·SESD1004Q4UG-0030-088–單向;1004尺寸;0.30pF(典型)輸入Cp,8.8V(典型)VBR
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