安世半導(dǎo)體（Nexperia）是全球半導(dǎo)體行業(yè)公認(rèn)的基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件生產(chǎn)專家，持續(xù)穩(wěn)定地大批量生產(chǎn)超越業(yè)界質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)的高效產(chǎn)品。安世半導(dǎo)體連續(xù)在2020 和2021 年參加中國國際進(jìn)口博覽會，借此機(jī)會我們特別專訪了安世半導(dǎo)體全球銷售資深副總裁張鵬崗，請他介紹安世如何運(yùn)用邏輯電路、分立器件和MOSFET（金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）方面的最新技術(shù)推動全世界電子設(shè)計(jì)的發(fā)展。
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安世半導(dǎo)體全球銷售及營銷資深副總裁兼中國區(qū)總經(jīng)理張鵬崗
生產(chǎn)與研發(fā)：全球化與國產(chǎn)化并進(jìn)
在中國電動汽車市場快速增長和“碳中和”大趨勢下，安世半導(dǎo)體致力為國產(chǎn)汽車半導(dǎo)體保駕護(hù)航，與客戶共創(chuàng)美好的未來。早在新冠疫情和全球汽車半導(dǎo)體短缺出現(xiàn)之前，安世半導(dǎo)體就已經(jīng)制定了大幅擴(kuò)大產(chǎn)能的全球增長戰(zhàn)略，實(shí)施了一系列在國內(nèi)外擴(kuò)大研發(fā)和產(chǎn)能舉措。
安世在國內(nèi)擁有完善的生產(chǎn)和研發(fā)布局，位于廣東東莞的安世半導(dǎo)體（中國）有限公司早在2000 年就已經(jīng)投產(chǎn)，擴(kuò)建的新分立器件封裝和測試工廠在2018 年初正式投產(chǎn)。安世半導(dǎo)體的母公司聞泰科技在2020 年與臨港新片區(qū)、臨港集團(tuán)簽約，投資了中國第一座12英寸車規(guī)級功率半導(dǎo)體自動化晶圓制造中心。在全球范圍內(nèi)，安世在去年收購了英國的Newport 晶圓廠使得在IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管）、功率MOSFET 模擬和化合物半導(dǎo)體產(chǎn)品線方面具備前端能力，并宣布擴(kuò)建在曼徹斯特和漢堡的200 mm 晶圓廠、亞洲的封裝和測試工廠及全球的研發(fā)基地。這些擴(kuò)產(chǎn)和收購舉措顯著提升了安世半導(dǎo)體車規(guī)級標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品的供應(yīng)能力，擴(kuò)大了市場份額。
安世半導(dǎo)體的研發(fā)投入將從9% 提升到15%，并在全球招聘更多研發(fā)工程師。目前強(qiáng)大的研發(fā)投入初見成效，更多新產(chǎn)品如IGBT、中高壓MOSFET、Analog（模擬）、碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN） 等均將在今年和未來幾年逐步量產(chǎn)。特別的，安世半導(dǎo)體于2021年7 月在上海正式成立中國研發(fā)中心（China Design Center），為國內(nèi)電動汽車、工業(yè)電子、消費(fèi)電子及光伏逆變器領(lǐng)域提供定制化及高性能產(chǎn)品。清華大學(xué)- 聞泰科技工業(yè)與車規(guī)半導(dǎo)體芯片聯(lián)合研究中心于2022 年1 月7 日正式揭牌，該中心對于發(fā)揮雙方優(yōu)勢，攻關(guān)解決車規(guī)半導(dǎo)體芯片領(lǐng)域的關(guān)鍵核心技術(shù)、推動產(chǎn)教融合和行業(yè)發(fā)展具有重要意義。
今年是安世半導(dǎo)體作為獨(dú)立實(shí)體進(jìn)入半導(dǎo)體行業(yè)五周年，雖然作為一個(gè)較為年輕的品牌，但憑借過去幾十年作為飛利浦半導(dǎo)體和恩智浦半導(dǎo)體的一部分，已在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域口碑優(yōu)良、表現(xiàn)強(qiáng)勁，只經(jīng)過五個(gè)春秋的不懈努力就在市場站穩(wěn)腳跟。安世半導(dǎo)體龐大的產(chǎn)品線和客戶群、持續(xù)增加的研發(fā)投入、快速增加的晶圓和封測產(chǎn)能將保證公司保持持續(xù)增長。
引領(lǐng)全球基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件的專家
安世半導(dǎo)體致力于做生產(chǎn)大批量基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件的專家，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于全球各類電子設(shè)計(jì)，目前約有15 000 種產(chǎn)品，每年新增800 余種新產(chǎn)品。全系列的新產(chǎn)品幫助客戶開發(fā)更高性能的產(chǎn)品并支持關(guān)鍵應(yīng)用趨勢。公司豐富的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD（Electro-Static discharge，靜電釋放）保護(hù)器件、MOSFET 器件、氮化鎵場效應(yīng)晶體管(GaN FET) 以及模擬IC（集成電路）和邏輯IC，每年可交付1 000 多億件產(chǎn)品，產(chǎn)品符合汽車行業(yè)的嚴(yán)苛標(biāo)準(zhǔn)。其產(chǎn)品在效率（如工藝、尺寸、功率及性能）方面獲得行業(yè)廣泛認(rèn)可，擁有先進(jìn)的小尺寸封裝技術(shù)，可有效節(jié)省功耗及空間。安世半導(dǎo)體的小信號分立器件、功率分立器件、邏輯和模擬集成電路支持電氣化、連接性和數(shù)字化、能源效率及工業(yè)4.0 和自動化等應(yīng)用，產(chǎn)品在消費(fèi)電子、汽車和工業(yè)市場份額不斷增長。同時(shí)，受益于新增的產(chǎn)能，安世在工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)和自動化、數(shù)據(jù)中心等基礎(chǔ)設(shè)施市場也在迅速增加。開關(guān)電源（SMPS）、AC-DC（交流-直流）和DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電池充電基礎(chǔ)設(shè)施、不間斷電源（UPS）和光伏逆變器等工業(yè)應(yīng)用也將受益于下一代寬禁帶(WBG) 功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。安世半導(dǎo)體正在為工業(yè)客戶提供標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品或汽車級產(chǎn)品（AEC-Q101 和ISO/TS16949 汽車質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)）之間的選擇，滿足他們所需的越來越多的非汽車應(yīng)用產(chǎn)品和服務(wù)。
作為未來創(chuàng)新技術(shù)推動者和中國企業(yè)必不可少的首選合作伙伴，安世在汽車、工業(yè)（含5G）、移動、計(jì)算機(jī)和消費(fèi)電子等多個(gè)細(xì)分市場中幫助客戶發(fā)現(xiàn)新的商業(yè)機(jī)會，公司也將繼續(xù)增加在研發(fā)和產(chǎn)能上的投資，大幅擴(kuò)大產(chǎn)能的來支持全球增長戰(zhàn)略。所擁有強(qiáng)大的全球化分銷網(wǎng)絡(luò)，是安世半導(dǎo)體在產(chǎn)業(yè)中長盛不衰得保證。
發(fā)力高功率器件與第三代半導(dǎo)體安世半導(dǎo)體正從一家純粹的分立、邏輯和功率MOS 制造商開始向更高功率器件、模擬器件和集成電路領(lǐng)域擴(kuò)張，并顯著增加市場份額。因此安世逐漸成為眾多全球知名電子品牌的首選供應(yīng)商，幾乎世界上所有的電子設(shè)計(jì)都使用安世半導(dǎo)體的器件。
隨著人們的能源節(jié)約意識日漸增強(qiáng)，對于具備出色效率和功率密度的高功率應(yīng)用的需求日益旺盛。而在這方面，硅半導(dǎo)體功率器件將很快達(dá)到其材料物理極限。諸如氮化鎵(GaN) 和碳化硅(SiC) 等WBG 產(chǎn)品現(xiàn)在能夠很好地滿足大批量應(yīng)用的嚴(yán)格要求，為OEM 廠商帶來更高的效率和功率密度，降低系統(tǒng)成本和運(yùn)營成本。安世半導(dǎo)體今年已經(jīng)正式進(jìn)軍高功率碳化硅(SiC) 整流器市場，旨在擴(kuò)展高壓寬禁帶半導(dǎo)體器件產(chǎn)品范圍，滿足汽車電氣化，5G 通信基礎(chǔ)設(shè)施、工業(yè)4.0、機(jī)器人技術(shù)、云計(jì)算、數(shù)字化和綠色能源等領(lǐng)域的需求。
寬禁帶(WBG) 產(chǎn)品的快速開發(fā)和采用使得性能水平達(dá)到了幾年前無法想象的高度——可以說，沒有WBG，一些新的項(xiàng)目需求是不能滿足的。WBG 產(chǎn)品被越來越多地運(yùn)用到項(xiàng)目設(shè)計(jì)中，效率越來越高，損耗/排放越來越低，整體功率密度不斷提高，在幫助實(shí)現(xiàn)“碳中和”的過程中貢獻(xiàn)良多。中國（和全球）電動汽車市場的快速增長促使設(shè)計(jì)師采用更高功率密度器件的趨勢愈加明顯。碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）正廣泛應(yīng)用于高效率、高功率要求的應(yīng)用中。
安世半導(dǎo)體一直投資和研發(fā)自有氮化鎵工藝技術(shù)。通過逐年的經(jīng)驗(yàn)積累和技術(shù)深入，掌握未來如何以最優(yōu)方式運(yùn)用這項(xiàng)技術(shù)。目前遍布全球的自有化生產(chǎn)基地可以提供真正車規(guī)級AEC-Q101 認(rèn)證的產(chǎn)品。新一代的安世半導(dǎo)體氮化鎵(HEMTs)，提供業(yè)界領(lǐng)先的低導(dǎo)通電阻，更高的開關(guān)穩(wěn)定性，可顯著提升動態(tài)性能。
安世半導(dǎo)體不到三年就推出三代650 V 高功率氮化鎵場效應(yīng)晶體管（GaN FET），提供從2 kW 到250 kW的GaN 應(yīng)用方案并推向更高的功率水平。在2021 年第四屆中國國際進(jìn)口博覽會上安世發(fā)布了第一款SiC 肖特基二極管產(chǎn)品，使用了高功率氮化鎵場效應(yīng)晶體管（GaN FET）的牽引逆變器；和上海電驅(qū)動合作開發(fā)的牽引逆變器中通過GaN 的應(yīng)用顯著提高了開關(guān)速度和轉(zhuǎn)換效率，實(shí)現(xiàn)高功率密度，縮小逆變器的尺寸、減輕車輛重量，使行駛里程更遠(yuǎn)。此外，安世持續(xù)續(xù)改進(jìn)主力產(chǎn)品—MOSFET，對于客戶而言使用高效的功率半導(dǎo)體比以往任何時(shí)候都重要，安世半導(dǎo)體的產(chǎn)品將為節(jié)能降耗做出更多貢獻(xiàn)，推動早日實(shí)現(xiàn)“碳中和”的目標(biāo)。
（本文來源于《買連接器網(wǎng)》雜志2022年4月期）
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