具高功率特性的氮化鎵(GaN)，將可滿足5G對(duì)功率放大器(PA)的高頻需求，并具有超越砷化鎵(GaAs)的十足潛力。未來(lái)氮化鎵將逐步在手機(jī)的5G功率放大器中出現(xiàn)，基地臺(tái)的功率放大器應(yīng)用也是其另一項(xiàng)發(fā)展主力。
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絡(luò)達(dá)科技技術(shù)長(zhǎng)林珩之表示，5G基地臺(tái)的功率放大器將會(huì)以砷化鎵與氮化鎵制程為主，因其是功率主導(dǎo)(PowerHandle)，并以表現(xiàn)度為主要衡量指針。但這樣的制程需更多的校準(zhǔn)(Calibration)程序，成本會(huì)比較高。不過(guò)，基地臺(tái)的整體數(shù)量相較于手機(jī)應(yīng)用是比較少的，因此即便其成本略高，仍在客戶能接受的范圍內(nèi)。
林珩之指出，功率主導(dǎo)的特性，更將促使氮化鎵比砷化鎵來(lái)得更有優(yōu)勢(shì)，因頻率更高，往往得靠氮化鎵才有辦法做到。到了5G時(shí)代，氮化鎵將很有機(jī)會(huì)取代橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LateralDiffusedMOS,LDMOS)。
而在手機(jī)功率放大器部分，目前2G是以互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)制程為主，3G、4G則是砷化鎵制程，5G因?yàn)楦哳l的關(guān)系，絡(luò)達(dá)十分看好氮化鎵制程，該技術(shù)同時(shí)還能讓電壓撐得更久。
林珩之分析，未來(lái)5G時(shí)代，手機(jī)功率放大器采用的半導(dǎo)體制程，預(yù)估將會(huì)是砷化鎵/氮化鎵占一半、CMOS占一半。小于6GHz頻段的半導(dǎo)體技術(shù)，會(huì)是以砷化鎵與氮化鎵制程為主，因天線與電磁波的波長(zhǎng)是成正比的，且高頻的天線比較大，也就須采用高功率的技術(shù)來(lái)達(dá)成，因此很有機(jī)會(huì)變成砷化鎵與氮化鎵制程的天下。
林珩之進(jìn)一步指出，氮化鎵制程有辦法支撐很高的功率，這是CMOS無(wú)法做到的。除非5G技術(shù)有辦法運(yùn)用小功率在空中進(jìn)行融合，CMOS制程才會(huì)有機(jī)會(huì)涵蓋到這部分的市場(chǎng)。但在5GmmWave頻段，則會(huì)是以CMOS制程為主。林珩之進(jìn)一步表示，因mmWave頻段采用的天線比較小，就會(huì)是以CMOS制程為主，像是CPU、GPU、ASIC等，該制程與化合物半導(dǎo)體很不相同，價(jià)格會(huì)比砷化鎵/氮化鎵制程來(lái)得低。
此外，CMOS制程的應(yīng)用領(lǐng)域也比較寬廣，目前在交換器(Switch)上便使用得相當(dāng)廣泛，而采用氮化鎵制程的交換器就比較難做，因其是屬于雙極性接面型晶體管(BipolarJunctionTransistor,BJT)。物聯(lián)網(wǎng)這類(lèi)以?xún)r(jià)格為主要驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用，由于對(duì)功率的要求比較低，也會(huì)是CMOS制程所能發(fā)揮的地方。
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